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反応性イオンビームエッチングによるマイクロピラー型面発光半導体レーザの作製

反応性イオンビームエッチングによるマイクロピラー型面発光半導体レーザの作製

ハンノウセイ イオンビーム エッチング ニ ヨル マイクロ ピラーガタ メン ハッコウ ハンドウタイ レーザ ノ サクセイ

一谷広樹

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R006880

2

  • [MS]2009(1)

Restricted

Details

Publication year

2009

Alternative title

Micropillar-type vertical cavity surface emitting lasers fabricated by reactive ion beam etching

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2009年3月

Note

学位記番号: 修第4452号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0731007

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

一谷, 広樹 (イチタニ, ヒロキ)

Subject

面発光半導体レーザ

反応性イオンエッチング

GaAs

マイクロピラーレーザ

半導体プロセス

低閾値発振