反応性イオンビームエッチングによるマイクロピラー型面発光半導体レーザの作製

反応性イオンビームエッチングによるマイクロピラー型面発光半導体レーザの作製

ハンノウセイ イオンビーム エッチング ニ ヨル マイクロ ピラーガタ メン ハッコウ ハンドウタイ レーザ ノ サクセイ

一谷広樹

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R006880

2

  • [MS]2009(1)

禁帯出

詳細情報

刊年

2009

別書名

Micropillar-type vertical cavity surface emitting lasers fabricated by reactive ion beam etching

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2009年3月

注記

学位記番号: 修第4452号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0731007

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

一谷, 広樹 (イチタニ, ヒロキ)

件名

面発光半導体レーザ

反応性イオンエッチング

GaAs

マイクロピラーレーザ

半導体プロセス

低閾値発振