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Development of Photoelectrochemical and Dry Etching Process for Silicon Carbide Devices

Development of Photoelectrochemical and Dry Etching Process for Silicon Carbide Devices

Hidenori Mikami

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2005.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R004832

Details

Publication year

2005

Alternative title

シリコンカーバイド(SiC)デバイスにむけた光電気化学とドライエッチングプロセスの開発

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2005年3月

Note

学位記番号: 博第500号

報告番号: 甲第500号

授与年月日: 2005/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0241018

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

三上, 英則 (ミカミ, ヒデノリ)

Subject

SiC

etching

UMOSFET