詳細情報

刊年

2005

別書名

シリコンカーバイド(SiC)デバイスにむけた光電気化学とドライエッチングプロセスの開発

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2005年3月

注記

学位記番号: 博第500号

報告番号: 甲第500号

授与年月日: 2005/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0241018

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

三上, 英則 (ミカミ, ヒデノリ)

件名

SiC

etching

UMOSFET