プラズマ レイキ カッセイシュ オ モチイタ SiCジョウ ゲート ゼツエンマク ケイセイ ト カイメン デンシ ブッセイ ヒョウカ
丹羽孝仁
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2004.3
Thesis / Diss.
| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R003102 |
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2 |
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Restricted |
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2004
Formation gate insulator on SiC by using plasma-activated species and their characterization
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2004年3月
学位記番号: 修第2754号
授与年月日: 2004/03/24
学生番号: 0231056
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
丹羽, 孝仁 (ニワ, タカヒト)
