プラズマ励起活性種を用いたSiC上ゲート絶縁膜形成と界面電子物性評価

プラズマ励起活性種を用いたSiC上ゲート絶縁膜形成と界面電子物性評価

プラズマ レイキ カッセイシュ オ モチイタ SiCジョウ ゲート ゼツエンマク ケイセイ ト カイメン デンシ ブッセイ ヒョウカ

丹羽孝仁

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2004.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R003102

2

  • [MS]2004(10)

禁帯出

詳細情報

刊年

2004

別書名

Formation gate insulator on SiC by using plasma-activated species and their characterization

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2004年3月

注記

学位記番号: 修第2754号

授与年月日: 2004/03/24

学生番号: 0231056

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

丹羽, 孝仁 (ニワ, タカヒト)

件名

SiC

MOS

SiO2/SiC界面

窒素プラズマ

プラズマ励起活性種

SiON膜