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イオン打ち込み法により作製したGaAsナノクリスタルの発光特性

イオン打ち込み法により作製したGaAsナノクリスタルの発光特性

イオン ウチコミホウ ニ ヨリ サクセイ シタ ガリウム ヒソ ナノクリスタル ノ ハッコウ トクセイ

田中宏

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2000.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R001399

2

  • [MS]2000(12)

Restricted

Details

Publication year

2000

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2000年3月

Note

学位記番号: 修第1413号

授与年月日: 2000/03/24

学生番号: 9831068

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

田中, 宏 (タナカ, ヒロシ)