イオン打ち込み法により作製したGaAsナノクリスタルの発光特性

イオン打ち込み法により作製したGaAsナノクリスタルの発光特性

イオン ウチコミホウ ニ ヨリ サクセイ シタ ガリウム ヒソ ナノクリスタル ノ ハッコウ トクセイ

田中宏

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2000.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R001399

2

  • [MS]2000(12)

禁帯出

詳細情報

刊年

2000

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2000年3月

注記

学位記番号: 修第1413号

授与年月日: 2000/03/24

学生番号: 9831068

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

田中, 宏 (タナカ, ヒロシ)