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化学溶液堆積法による強誘電体SrBi2Ta2O9薄膜の低温作製とその不揮発性メモリー特性の評価

化学溶液堆積法による強誘電体SrBi2Ta2O9薄膜の低温作製とその不揮発性メモリー特性の評価

カガク ヨウエキ タイセキホウ ニ ヨル キョウユウデンタイ ストロンリウム ビスマス 2 タンタル 2 サンソ 9 ハクマク ノ テイオン サクセイ ト ソノ フキハツセイ メモリー トクセイ ノ ヒョウカ

高岡将樹

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2000.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R001394

2

  • [MS]2000(11)

Restricted

Details

Publication year

2000

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2000年3月

Note

学位記番号: 修第1408号

授与年月日: 2000/03/24

学生番号: 9831063

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

高岡, 将樹 (タカオカ, マサキ)