化学溶液堆積法による強誘電体SrBi2Ta2O9薄膜の低温作製とその不揮発性メモリー特性の評価

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カガク ヨウエキ タイセキホウ ニ ヨル キョウユウデンタイ ストロンリウム ビスマス 2 タンタル 2 サンソ 9 ハクマク ノ テイオン サクセイ ト ソノ フキハツセイ メモリー トクセイ ノ ヒョウカ

高岡将樹

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2000.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R001394

2

  • [MS]2000(11)

禁帯出

詳細情報

刊年

2000

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2000年3月

注記

学位記番号: 修第1408号

授与年月日: 2000/03/24

学生番号: 9831063

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

高岡, 将樹 (タカオカ, マサキ)