ヒョウメン サンカ GaN キバン ニ タイスル SiO 2 セイマク プロセス サイテキカ ト カイメン カイシツ キコウ ノ ヒョウカ
原田卓門
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2023.3
Thesis / Diss.
| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R018316 |
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2023
Optimization of SiO2 deposition process for oxidized GaN and evaluation of interface modification mechanism
奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科修士論文 ; 2023年3月
学位記番号: 修第9325号
学位授与年月日: 2023/03/31
学位の種類: 修士(工学)
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
原田, 卓門 (ハラダ, タクト)
