表面酸化GaN基板に対するSiO2成膜プロセス最適化と界面改質機構の評価

表面酸化GaN基板に対するSiO2成膜プロセス最適化と界面改質機構の評価

ヒョウメン サンカ GaN キバン ニ タイスル SiO 2 セイマク プロセス サイテキカ ト カイメン カイシツ キコウ ノ ヒョウカ

原田卓門

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2023.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R018316

詳細情報

刊年

2023

別書名

Optimization of SiO2 deposition process for oxidized GaN and evaluation of interface modification mechanism

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科修士論文 ; 2023年3月

注記

学位記番号: 修第9325号

学位授与年月日: 2023/03/31

学位の種類: 修士(工学)

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

原田, 卓門 (ハラダ, タクト)

件名

パワー半導体

GaN

SiO2

プロセスインフォマティクス

ベイズ最適化