Development of Empirical Potential Profile Model for Unusual Energy Separation of Subbands in Indium-adsorbed Si(111) Inversion Layer

Development of Empirical Potential Profile Model for Unusual Energy Separation of Subbands in Indium-adsorbed Si(111) Inversion Layer

Nur Idayu Binti Ayob

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2015.9

学位論文

巻号情報

全2件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R012267

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R012268

詳細情報

刊年

2015

別書名

Si(111) 反転層中のサブバンドの異常なエネルギー準位間隔に対する経験的な反転層形状モデルの開発

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2015年9月

注記

学位記番号: 博第1294号

報告番号: 甲第1294号

学位授与年月日: 2015/09/25

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1241016

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

Ayob, Nur Idayu Binti

件名

Band bending

Subband dispersion

ARPES

Inversion layer

Dopant

Semiconductor