Relationship between Electrical Characteristics and Crystallographic Properties in Pseudo-Single-Crystal Silicon Thin-Film Transistors Fabricated by Phase-Modulated Excimer Laser Annealing

Relationship between Electrical Characteristics and Crystallographic Properties in Pseudo-Single-Crystal Silicon Thin-Film Transistors Fabricated by Phase-Modulated Excimer Laser Annealing

三谷昌弘

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2014.3

学位論文

巻号情報

全2件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R010712

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Digest

R010726

詳細情報

刊年

2014

別書名

位相変調エキシマレーザーアニーリングで作製した擬似単結晶シリコン薄膜トランジスタの電気的特性と結晶学的特性の関係の研究

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2014年3月

注記

学位記番号: 博第1221号

報告番号: 甲第1221号

学位授与年月日: 2014/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1141019

博士論文公表延期中のため、本文に代えて要約を公表中

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

三谷, 昌弘 (ミタニ, マサヒロ)

件名

poly-Si

thin film transistor

excimer laser annealing

high performance

surface orientation

uniformity