リン ドウニュウ ゲート サンカマク オ モチイタ シリコン カーバイド デンカイ コウカ トランジスタ ニ オケル カイメン ジュンイ ノ カイセキ
大澤愛
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3
1
R009912
2
禁帯出
2013
Characterization of POCl3-annealed 4H-SiC MOSFETs by charge pumping technique
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2013年3月
学位記番号: 修第5814号
学位授与年月日: 2013/3/22
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 1131012
日本語 (jpn)
大澤, 愛 (オオサワ, アイ)
MOSFET
POCl3
界面準位密度
チャージポンピング
MOSFETPOCl3界面準位密度チャージポンピング
