走査型プローブ顕微鏡を用いた多結晶シリコン薄膜の新規電子物性評価手法の確立

走査型プローブ顕微鏡を用いた多結晶シリコン薄膜の新規電子物性評価手法の確立

ソウサガタ プローブ ケンビキョウ オ モチイタ タケッショウ シリコン ハクマク ノ シンキ デンシ ブッセイ ヒョウカ シュホウ ノ カクリツ

町田絵美

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R007724

2

  • [MS]2010(14)

禁帯出

詳細情報

刊年

2010

別書名

Scanning Probe Microscope Analysis for Polycrystalline Silicon Thin Films

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2010年3月

注記

学位記番号: 修第4859号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0831075

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

町田, 絵美 (マチダ, エミ)

件名

poly-Si TFT

C-AFM

KFM

水素化

電気的欠陥

電子挙動