シリコンカーバイド エノ トレンチ コウゾウ ケイセイ ト タテガタ ゼツエン ゲート デンカイ コウカ トランジスタ エノ オウヨウ
中尾裕史
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2006.3
1
R004064
2
禁帯出
2006
Trench structure formed on SiC and application of TrenchMOSFET
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2006年3月
学位記番号: 修第3477号
授与年月日: 2006/03/24
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 0431083
日本語 (jpn)
中尾, 裕史 (ナカオ, ヒロシ)
SiC
MOSFET
トレンチ
チャネル面
移動度
オフ角
SiCMOSFETトレンチチャネル面移動度オフ角
