原料ガス間欠供給法を用いて作製した薄膜多結晶シリコンの結晶欠陥評価と高品質化

原料ガス間欠供給法を用いて作製した薄膜多結晶シリコンの結晶欠陥評価と高品質化

ゲンリョウ ガス カンケツ キョウキュウホウ オ モチイテ サクセイシタ ハクマク タケッショウ シリコン ノ ケッショウ ケッカン ヒョウカ ト コウヒンシツカ

大鐘章義

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2006.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R004042

2

  • [MS]2006(2)

禁帯出

詳細情報

刊年

2006

別書名

Analysis and modification of polycrystalline silicon thin films' crystallographic properties deposited by intermittent source gas supply

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2006年3月

注記

学位記番号: 修第3408号

授与年月日: 2006/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0431008

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

大鐘, 章義 (オオガネ, アキヨシ)

件名

シリコン

CVD

結晶欠陥

アニール