プラズマ援用化学的気相堆積法を用いて形成したSiナノドットへの電子注入

プラズマ援用化学的気相堆積法を用いて形成したSiナノドットへの電子注入

プラズマ エンヨウ カガクテキ キソウ タイセキホウ オ モチイテ ケイセイシタ Si ナノ ドット エノ デンシ チュウニュウ

猪飼順子

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2004.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R003058

2

  • [MS]2004(2)

禁帯出

詳細情報

刊年

2004

別書名

Electron injection into Si nanometer-size sot fabricated with plasma enhanced chemical vapor deposition

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2004年3月

注記

学位記番号: 修第2710号

授与年月日: 2004/03/24

学生番号: 0231006

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

猪飼, 順子 (イカイ, ジュンコ)

件名

Si nano dot

Floating gate

PECVD

Siナノドット

電子注入

フローティングゲート