Hydrogen adsorption and desorption on Si(111)7×7 between 290 K and 770 K studied by scanning tunneling microscopy in real time

Hydrogen adsorption and desorption on Si(111)7×7 between 290 K and 770 K studied by scanning tunneling microscopy in real time

Henning Neddermeyer

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2001.1

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巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • [MPDASH]

V001829

詳細情報

刊年

2001

G/SMD

(v-)

形態

電子化映像資料(41分2秒)

シリーズ名

NAIST International Symposium on Surface Electronic and Atomic Phenomena ; 2001

注記

講演者所属: Martin Luther University, Germany

講演日: 平成13年1月15日

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

Neddermeyer, Henning