Dian Budiarti Kastian
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2023.9
1
R018594
2023
a-IGZO薄膜トランジスタの高性能化に向けた高誘電率Al2O3とHfO2の二層ゲート絶縁膜
奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科修士論文 ; 2023年9月
学位記番号: 修第9354号
学位授与年月日: 2023/09/30
学位の種類: 修士(工学)
英語 (eng)
Thin Film Transistor
Bilayer High-k gate insulator
Al2O3
HfO2
a-IGZO
Thin Film TransistorBilayer High-k gate insulatorAl2O3HfO2a-IGZO