Analysis of Low Temperature Solution-processed High-k Gate Insulator for Amorphous Oxide Thin-film Transistors

Analysis of Low Temperature Solution-processed High-k Gate Insulator for Amorphous Oxide Thin-film Transistors

Ployrung Kesorn

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2020.9

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R016654

詳細情報

刊年

2020

別書名

非晶質酸化物薄膜トランジスタに向けた低温形成high-kゲート絶縁膜の解析

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科修士論文 ; 2020年9月

注記

学位記番号: 修第8355号

学位授与年月日: 2020/09/30

学位の種類: 修士(工学)

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

Kesorn, Ployrung

件名

Thin-film transistor

Nanocomposite gate insulator

High-k

Solution processed

In-Ga-Zn-O

Flexible display