タンタル酸化物を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)とセンサ応用に関する研究

タンタル酸化物を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)とセンサ応用に関する研究

タンタル サンカブツ オ モチイ タ テイコウ ヘンカガタ メモリ ReRAM ト センサ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ

米田慎一

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2021.12

学位論文

巻号情報

全2件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R017596

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R017604

詳細情報

刊年

2021

別書名

Study on resistive random access memory using tantalum oxide and sensor application

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科博士論文 ; 2021年12月

注記

学位記番号: 博第1827号

報告番号: 甲第1827号

学位授与年月日: 2021/12/31

学位の種類: 博士(工学)

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

米田, 慎一 (ヨネダ, シンイチ)

件名

抵抗変化型メモリ

ReRAM

タンタル酸化物

不揮発性メモリ

ガスセンサ