• Top
  • Details (Local collection)
タンタル酸化物を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)とセンサ応用に関する研究

タンタル酸化物を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)とセンサ応用に関する研究

タンタル サンカブツ オ モチイ タ テイコウ ヘンカガタ メモリ ReRAM ト センサ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ

米田慎一

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2021.12

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R017596

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R017604

Details

Publication year

2021

Alternative title

Study on resistive random access memory using tantalum oxide and sensor application

Series title

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科博士論文 ; 2021年12月

Note

学位記番号: 博第1827号

報告番号: 甲第1827号

学位授与年月日: 2021/12/31

学位の種類: 博士(工学)

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

米田, 慎一 (ヨネダ, シンイチ)

Subject

抵抗変化型メモリ

ReRAM

タンタル酸化物

不揮発性メモリ

ガスセンサ