2 真空蒸着法
2.1 真空蒸着と基板
2.2 気体に関する基本的な法則と公式
2.2.1 ボイル・シャルルの法則 : 圧力,分子数密度,エネルギー密度
2.2.2 気体分子とマクスウェルの速度分布則
2.2.3 気体分子の速さ
2.2.4 気体分子の流れ
2.2.5 平均自由行程 (mean free path : mfp)
2.2.6 余弦法則と蒸発の方向分布
2.3 各種の蒸発法
2.3.1 真空蒸着装置の基本構成
2.3.2 抵抗加熱法
2.3.3 電子線加熱法
2.3.4 レーザー加熱法
2.4 蒸着の具体例
2.4.1 Ag,Cu,Al
2.4.2 合金蒸着 : ラウルの法則 : 多源蒸着法
2.4.3 化合物 : MgF2 その他
2.4.4 分子線エピタクシー (MBE) 法 : 超高真空と精密蒸発制御
2.4.5 イオンプレーティング
演習問題

2 真空蒸着法 2.1 真空蒸着と基板 2.2 気体に関する基本的な法則と公式 2.2.1 ボイル・シャルルの法則 : 圧力,分子数密度,エネルギー密度 2.2.2 気体分子とマクスウェルの速度分布則 2.2.3 気体分子の速さ 2.2.4 気体分子の流れ 2.2.5 平均自由行程 (mean free path : mfp) 2.2.6 余弦法則と蒸発の方向分布 2.3 各種の蒸発法 2.3.1 真空蒸着装置の基本構成 2.3.2 抵抗加熱法 2.3.3 電子線加熱法 2.3.4 レーザー加熱法 2.4 蒸着の具体例 2.4.1 Ag,Cu,Al 2.4.2 合金蒸着 : ラウルの法則 : 多源蒸着法 2.4.3 化合物 : MgF2 その他 2.4.4 分子線エピタクシー (MBE) 法 : 超高真空と精密蒸発制御 2.4.5 イオンプレーティング 演習問題

論文

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掲載資料
薄膜の基本技術, 第3版, p.37-72