Oxide Semiconductor Thin Film Transistors with High-K Dielectric Material Fabricated by Solution Process, 要旨

Oxide Semiconductor Thin Film Transistors with High-K Dielectric Material Fabricated by Solution Process, 要旨

呂莉

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3

学位論文

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巻号情報

要旨
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R010087

詳細情報

刊年

2013

別書名

溶液プロセスによる高誘電率材料を用いた酸化物系薄膜トランジスタの作製

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2013年3月

注記

学位記番号: 博第1145号

学位授与年月日: 2013/3/22

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1041021

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

呂, 莉 (ロ, リ)

件名

Oxide semiconductor thin film transistor

High-k dielectric material

Solution process

Low temperature

High performance

Low operating-voltage