Development of Laser Doping at Room Temperature for Crystalline Silicon Solar Cell Fabrication Process, 要旨

Development of Laser Doping at Room Temperature for Crystalline Silicon Solar Cell Fabrication Process, 要旨

平田憲司

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2012.3

学位論文

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巻号情報

要旨
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R009350

詳細情報

刊年

2012

別書名

結晶シリコン太陽電池作製プロセスに向けた室温レーザードーピングの開発

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2012年3月

注記

学位記番号: 博第1075号

学位授与年月日: 2012/3/23

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0941016

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

平田, 憲司 (ヒラタ, ケンジ)

件名

Crystalline Silicon Solar Cells

Laser Doping

Room Temparature

Fabrication Process

High Efficiency

Selective