Development of Laser Doping at Room Temperature for Crystalline Silicon Solar Cell Fabrication Process

Development of Laser Doping at Room Temperature for Crystalline Silicon Solar Cell Fabrication Process

平田憲司

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2012.3

学位論文

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巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R009309

2

  • [MS]2012

禁帯出

詳細情報

刊年

2012

別書名

結晶シリコン太陽電池作製プロセスに向けた室温レーザードーピングの開発

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2012年3月

注記

学位記番号: 博第1075号

学位授与年月日: 2012/3/23

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0941016

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

平田, 憲司 (ヒラタ, ケンジ)

件名

Crystalline Silicon Solar Cells

Laser Doping

Room Temparature

Fabrication Process

High Efficiency

Selective