Hole Subband Induced by Indium on Si (111) with Different Substrate Conditions

Hole Subband Induced by Indium on Si (111) with Different Substrate Conditions

NUR IDAYU BINTI AYOB

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2012.3

Thesis / Diss.

Volume No.

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R009273

2

  • [MS]2012(15)

Restricted

Details

Publication year

2012

Alternative title

In吸着Si(111)表面のホールサブバンド分散構造の基板条件依存性

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2012年3月

Note

学位記番号: 修第5554号

学位授与年月日: 2012/3/23

学位の種類: 修士(理学)

学生番号: 1031099

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

Ayob, Nur Idayu Binti

Subject

Hole subband of In/Si (111)