サンカ マク : (11-20)メン シリコン カーバイド カイメン エノ リン ドウニュウ コウカ オヨビ タテガタ ゼツエン ゲート デンカイ コウカ トランジスタ エノ オウヨウ
新宮剣太
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2012.3
Thesis / Diss.| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R009218 |
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2 |
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2012
Effect of POCl3 annealing on (11-20)face SiO2 : SiC interface properties and introduction for trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2012年3月
学位記番号: 修第5499号
学位授与年月日: 2012/3/23
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 1031040
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
新宮, 剣太 (シングウ, ケンタ)
