詳細情報

刊年

2011

別書名

リンドープゲート酸化膜を用いた高性能SiC金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの作製と解析

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2011年3月

注記

学位記番号: 博第1008号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0841004

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

岡本, 大 (オカモト, ダイ)

件名

シリコンカーバイド

MOSFET

パワー半導体デバイス

SiC

界面準位

チャネル移動度