酸化狭窄構造を持つ低消費電力偏光双安定面発光半導体レーザの作製

酸化狭窄構造を持つ低消費電力偏光双安定面発光半導体レーザの作製

サンカ キョウサク コウゾウ オ モツ テイショウヒ デンリョク ヘンコウソウ アンテイ メン ハッコウ ハンドウタイ レーザ ノ サクセイ

湯川浩平

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R008546

2

  • [MS]2011(19)

禁帯出

詳細情報

刊年

2011

別書名

Fabrication of low power consumption polarization-bistable vertical-cavity surface-emitting lasers with oxidation-confined structures

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月

注記

学位記番号: 修第5223号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0931095

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

湯川, 浩平 (ユカワ, コウヘイ)

件名

面発光半導体レーザ

偏光双安定

酸化狭窄法

半導体レーザプロセス

低閾値発振

AlGaAs選択酸化