三次元デバイス応用に向けたグリーンレーザーアニールによるシリコン積層薄膜の同時結晶化技術に関する研究

三次元デバイス応用に向けたグリーンレーザーアニールによるシリコン積層薄膜の同時結晶化技術に関する研究

サンジゲン デバイス オウヨウ ニ ムケタ グリーン レーザー アニール ニヨル シリコン セキソウ ハクマク ノ ドウジ ケッショウカ ギジュツ ニ カンスル ケンキュウ

山崎浩司

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R008544

2

  • [MS]2011(19)

禁帯出

詳細情報

刊年

2011

別書名

Thin Film Transistors and Photo Diodes Fabricated on Double-Layered Polycrystalline Silicon Films Formed by Green Laser Annealing

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月

注記

学位記番号: 修第5221号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0931091

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

山崎, 浩司 (ヤマサキ, コウジ)

件名

グリーンレーザーアニール

同時結晶化

大粒径化

積層構造

薄膜トランジスタ

薄膜フォトダイオード