光電子回折分光法による4H-SiC(0001)上グラフェンの形成過程の層分解原子構造・電子状態解析

光電子回折分光法による4H-SiC(0001)上グラフェンの形成過程の層分解原子構造・電子状態解析

コウデンシ カイセツ ブンコウホウ ニヨル 4H-SiC(0001) ジョウ グラフェン ノ ケイセイ カテイ ノ ソウブンカイ ゲンシ コウゾウ デンシ ジョウタイ カイセキ

松井公佑

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R008528

2

  • [MS]2011(16)

禁帯出

詳細情報

刊年

2011

別書名

Layer resolved atomic structure and electronic state analysis of graphene on 4H-SiC(0001) by photoelectron diffraction spectroscopy

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月

注記

学位記番号: 修第5204号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0931074

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

松井, 公佑 (マツイ, ヒロスケ)

件名

グラフェン

原子構造解析

電子状態解析

光電子回折

光電子分光

シリコンカーバイド