二次元光電子回折分光法による 6H-SiC(0001)上 酸窒化膜のサイト選択的電子状態解析

二次元光電子回折分光法による 6H-SiC(0001)上 酸窒化膜のサイト選択的電子状態解析

ニジゲン コウデンシ カイセツ ブンコウホウ ニヨル 6H-SiC (0001) ジョウ サンチッカマク ノ サイト センタクテキ デンシ ジョウタイ カイセキ

前島尚行

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R008525

2

  • [MS]2011(15)

禁帯出

詳細情報

刊年

2011

別書名

Site-specific electronic structure analysis of silicon oxynitride thin film on 6H-SiC(0001) by teo-dimensional photoelectron diffraction spectroscopy

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月

注記

学位記番号: 修第5201号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 修士(理学)

学生番号: 0931071

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

前島, 尚行 (マエジマ, ナオユキ)

件名

光電子回折

回折分光

表面・界面電子状態

SiC