基板傾斜角の異なるシリコンカーバイドを用いた縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタの作製と評価

基板傾斜角の異なるシリコンカーバイドを用いた縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタの作製と評価

キバン ケイシャカク ノ コトナル シリコン カーバイド オ モチイタ タテガタ ゼツエン ゲート デンカイ コウカ トランジスタ ノ サクセイ ト ヒョウカ

上岡義弘

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

Thesis / Diss.

Volume No.

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R008470

2

  • [MS]2011(2)

Restricted

Details

Publication year

2011

Alternative title

Fabrication and evaluation of SiC trench MOSFETs on different off-axis substrates

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月

Note

学位記番号: 修第5141号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0931010

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

上岡, 義弘 (ウエオカ, ヨシヒロ)

Subject

SiC

MOSFET

炭化ケイ素

トレンチ

オフ角

移動度