ネツ エッチング ニヨル シンキ シリコン カーバイド デバイス コウゾウ サクセイ ニ ムケタ キバン ギジュツ
網嶋健人
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3
Thesis / Diss.| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R008464 |
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2 |
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Restricted |
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2011
Fundamental technology for new silicon carbide device structure by thermal etching
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月
学位記番号: 修第5134号
学位授与年月日: 2011/03/24
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 0931003
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
網嶋, 健人 (アミシマ, ケント)
