大容量強誘電体メモリの実現に向けた原子レベル平坦化Ptエピタキシャル膜の作製

大容量強誘電体メモリの実現に向けた原子レベル平坦化Ptエピタキシャル膜の作製

ダイヨウリョウ キョウユウデンタイ メモリ ノ ジツゲン ニ ムケタ ゲンシ レベル ヘイタン カ Pt エピタキシャル マク ノ サクセイ

旭健史郎

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R008463

2

  • [MS]2011(1)

禁帯出

詳細情報

刊年

2011

別書名

Fabrication of atomically flat Pt epitaxial film for ferroelectric memory with large capacitance

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月

注記

学位記番号: 修第5133号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0931001

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

旭, 健史郎 (アサヒ, ケンシロウ)

件名

強誘電体

メモリ

Pt

エピタキシャル

Al2O3

原子