シリコンカーバイドの絶縁ゲート型電界効果トランジスタに対するアンモニアプラズマ前処理と界面電子物性評価, 要旨

シリコンカーバイドの絶縁ゲート型電界効果トランジスタに対するアンモニアプラズマ前処理と界面電子物性評価, 要旨

シリコン カーバイド ノ ゼツエン ゲートガタ デンカイ コウカ トランジスタ ニ タイスル アンモニア プラズマ マエショリ ト カイメン デンシ ブッセイ ヒョウカ

岩崎吉記

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

学位論文

この資料には他にも巻号があります。

他の巻号を見る

巻号情報

要旨
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R007856

詳細情報

刊年

2010

別書名

Control and analysis of interface properties in insulator/SiC structures by NH3 plasma pretreatment

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2010年3月

注記

学位記番号: 博第941号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0741001

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

岩崎, 吉記 (イワサキ, ヨシノリ)

件名

SiC

MOS

C-V

XPS

IPE