詳細情報

刊年

2010

別書名

Fabrication of InAlGaAs quantum wells for spin devices

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2010年3月

注記

学位記番号: 修第4871号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0831090

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

安田, 祐介 (ヤスダ, ユウスケ)

件名

分子線エピタキシー

InP(100)基板

InGaAs/InAlAs

量子井戸

深い準位

電子スピン緩和