1.55μm帯偏光双安定VCSELを用いた光バッファメモリの高性能化

1.55μm帯偏光双安定VCSELを用いた光バッファメモリの高性能化

1.55μmタイ ヘンコウソウ アンテイ VCSEL オ モチイタ ヒカリ バッファ メモリ ノ コウセイノウカ

尾藤直樹

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R007718

2

  • [MS]2010(13)

禁帯出

詳細情報

刊年

2010

別書名

Improvement of Optical Buffer Memory Using 1.55μm Polarization Bistable Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2010年3月

注記

学位記番号: 修第4853号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0831068

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

尾藤, 直樹 (ビトウ, ナオキ)

件名

面発光半導体レーザ

偏光双安定特性

光バッファメモリ

シフトレジスタ動作

NRZ信号

高速光メモリ