微傾斜GaAs(110)基板上多重量子井戸における電子スピン緩和時間

微傾斜GaAs(110)基板上多重量子井戸における電子スピン緩和時間

ビケイシャ GaAs(110) キバンジョウ タジュウ リョウシ イド ニ オケル デンシ スピン カンワ ジカン

中西慧

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R007710

2

  • [MS]2010(11)

禁帯出

詳細情報

刊年

2010

別書名

Electron Spin Relaxation Times in Multiple-quantum-wells Grown on Vicinal GaAs(110) Substrates

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2010年3月

注記

学位記番号: 修第4845号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0831059

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

中西, 慧 (ナカニシ, アキラ)

件名

電子スピン緩和時間

GaAs(110)基板

量子井戸

分子線エピタキシー

D’yakonov Perel緩和機構

微傾斜基板