原子層堆積法による酸化亜鉛薄膜の低温形成とデバイス応用

原子層堆積法による酸化亜鉛薄膜の低温形成とデバイス応用

ゲンシソウ タイセキホウ ニヨル サンカ アエン ハクマク ノ テイオン ケイセイ ト デバイス オウヨウ

川村悠実

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R007682

2

  • [MS]2010(7)

禁帯出

詳細情報

刊年

2010

別書名

Low-temperature preparation of ZnO thin films by atomic layer deposition for the application to electrical devices

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2010年3月

注記

学位記番号: 修第4817号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0831029

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

川村, 悠実 (カワムラ, ユミ)

件名

原子層堆積法

酸化物半導体

酸化亜鉛

薄膜トランジスタ

フレキシブルディスプレイ

ALD