Laser Crystallization of Non Two-dimensional Silicon Substrate for Thin Film Device Application, 要旨

Laser Crystallization of Non Two-dimensional Silicon Substrate for Thin Film Device Application, 要旨

Yuta Sugawara

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

学位論文

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巻号情報

要旨
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R007073

詳細情報

刊年

2009

別書名

レーザー結晶化による非二次元シリコン基板作製とその薄膜デバイス応用

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2009年3月

注記

学位記番号: 博第858号

報告番号: 甲第858号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0641010

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

菅原, 祐太 (スガワラ, ユウタ)

件名

thin film transistor

laser annealing crystallization

poly-Si

low-temperature process