高性能薄膜トランジスタに向けた酸化亜鉛/絶縁膜界面制御とその電気特性評価

高性能薄膜トランジスタに向けた酸化亜鉛/絶縁膜界面制御とその電気特性評価

コウセイノウ ハクマク トランジスタ ニ ムケタ サンカ アエン ゼツエンマク カイメン セイギョ ト ソノ デンキ トクセイ ヒョウカ

藤井茉美

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R006944

2

  • [MS]2009(12)

禁帯出

詳細情報

刊年

2009

別書名

Electrical characterization and control of the interface bwtween ZnO and Insulator for high performance thin film transistor

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2009年3月

注記

学位記番号: 修第4516号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0731074

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

藤井, 茉美 (フジイ, マミ)

件名

酸化亜鉛

薄膜トランジスタ

捕獲準位

界面

絶縁膜

劣化