二次元光電子分光法による4H-SiC(0001)表面上のグラフェン膜の形成過程の研究

二次元光電子分光法による4H-SiC(0001)表面上のグラフェン膜の形成過程の研究

ニジゲン コウデンシ ブンコウホウ ニ ヨル 4H-SiC(0001) ヒョウメンジョウ ノ グラフェンマク ノ ケイセイ カテイ ノ ケンキュウ

田中攻

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R006919

2

  • [MS]2009(8)

禁帯出

詳細情報

刊年

2009

別書名

Study of Formation Process of Graphene Film under 4H-SiC(0001) Surface by 2-D Photoelectron Spectroscopy

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2009年3月

注記

学位記番号: 修第4491号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0731049

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

田中, 攻 (タナカ, コウ)

件名

グラフェン膜

4H-SiC(0001)

二次元光電子分光法

RHEED

STM

graphite