二次元光電子分光法による4H-SiC(0001)表面上のグラフェン膜の形成過程の研究

二次元光電子分光法による4H-SiC(0001)表面上のグラフェン膜の形成過程の研究

ニジゲン コウデンシ ブンコウホウ ニ ヨル 4H-SiC(0001) ヒョウメンジョウ ノ グラフェンマク ノ ケイセイ カテイ ノ ケンキュウ

田中攻

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

Thesis / Diss.

Volume No.

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R006919

2

  • [MS]2009(8)

Restricted

Details

Publication year

2009

Alternative title

Study of Formation Process of Graphene Film under 4H-SiC(0001) Surface by 2-D Photoelectron Spectroscopy

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2009年3月

Note

学位記番号: 修第4491号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0731049

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

田中, 攻 (タナカ, コウ)

Subject

グラフェン膜

4H-SiC(0001)

二次元光電子分光法

RHEED

STM

graphite