ネツ エッチング ニ ヨル 4H ガタ タンカ ケイソ ノ コウシスウ メン ケイセイ ト ソシ サクセイ プロセス エノ オウヨウ
纐纈英典
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3
Thesis / Diss.| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R006900 |
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2009
Formation of high-index planes in 4H-SiC by thermal etching and application to device process
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2009年3月
学位記番号: 修第4472号
学位授与年月日: 2009/03/24
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 0731028
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
纐纈, 英典 (コウケツ, ヒデノリ)
