ナノドットを電荷保持ノードとする薄膜トランジスタ型不揮発性メモリの研究, 要旨

ナノドットを電荷保持ノードとする薄膜トランジスタ型不揮発性メモリの研究, 要旨

ナノ ドット オ デンカ ホジ ノード ト スル ハクマク トランジスタガタ フキハツセイ メモリ ノ ケンキュウ

市川和典

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2008.3

学位論文

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巻号情報

要旨
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R006304

詳細情報

刊年

2008

別書名

Investigation of thin film transistor typed nonvolatile memory with nano dot

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2008年3月

注記

学位記番号: 博第768号

報告番号: 甲第768号

学位授与年月日: 2008/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0541001

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

市川, 和典 (イチカワ, カズノリ)

件名

薄膜トランジスタ

ナノドット

フラッシュメモリ

不揮発性メモリ

フェリチン

システムオンパネル