電子線誘起電流法によるシリコンカーバイド転位欠陥の三次元的非破壊評価

電子線誘起電流法によるシリコンカーバイド転位欠陥の三次元的非破壊評価

デンシセン ユウキ デンリュウホウ ニヨル シリコンカーバイド テンイ ケッカン ノ サンジゲンテキ ヒハカイ ヒョウカ

柳澤佑輝

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2006.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R004065

2

  • [MS]2006(16)

禁帯出

詳細情報

刊年

2006

別書名

3-Dimensional non-destructive dislocation analyses in SiC measured by electron-beam-induced current method

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2006年3月

注記

学位記番号: 修第3479号

授与年月日: 2006/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0431085

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

柳澤, 佑輝 (ヤナギサワ, ユウキ)

件名

SiC

転位

欠陥評価

エピタキシャル層

EBIC法